IGBT功率半導(dǎo)體最大的優(yōu)勢(shì)是節(jié)能,傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體損耗非常大,需要多個(gè)器件才能達(dá)到電能轉(zhuǎn)換的效果。IGBT通過調(diào)節(jié)電機(jī)的轉(zhuǎn)速來提升能源轉(zhuǎn)換效率,從而達(dá)到節(jié)能的作用。
需求上,IGBT的需求最主要來自新能源汽車帶動(dòng)的增長;工業(yè)領(lǐng)域?qū)儆诜(wěn)健的需求,增量來自于新基建;新能源變電和電網(wǎng)來自國家政策的推動(dòng)發(fā)展;軌道交通是中國的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。但是,相對(duì)于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體,IGBT工藝流程長達(dá)2.5-3個(gè)月,只要有一個(gè)參數(shù)變生偏差,就需要工藝流程重新返工,1年時(shí)間內(nèi)沒有幾次試錯(cuò)的機(jī)會(huì)。
附件:方正證券的研究報(bào)告《IGBT功率半導(dǎo)體研究框架》
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《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期趨勢(shì)及核心問題討論》回顧了全球和國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年以來的變化,分析了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三個(gè)核心問題
國內(nèi)外 SIC 產(chǎn)業(yè)鏈日趨成熟,成本也在持續(xù)下降,產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點(diǎn)臨近,到 2025 年 30 億美金 2030 年 100 億美金,即 10 年 20 倍增長
十強(qiáng)企業(yè):歌爾聲學(xué),瑞聲聲學(xué),敏芯微電子,艾睿光電,美新半導(dǎo)體,美泰電子,納芯微電子,邁瑞微電子,感芯慰電子
十強(qiáng)企業(yè):安世半導(dǎo)體,楊杰電子,華潤微電子,華微電子,樂山無線電,無錫新潔能源,長晶科技,燕東微電子,捷捷微電子
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